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穩定度、準確度、長期穩定度的主要區別是什么？
通常人們說的穩定度指的是溫度穩定度，因為溫度穩定度是衡量晶振短期穩定性的最主要的指標。
準確度指的是在常溫環境下晶振的輸出頻率fx和中心標稱頻率f0比較。公式如下：準確度 = (fx- f0) / f0。
影響準確度的主要因素有晶振出廠準確度、溫度漂移、電壓特性、負載特性、老化漂移等。
長期穩定度指的是年老化率、10年老化率。
主要的輸出波形對比
晶振輸出波形有Clipped sine、TTL、LV-TTL、HCMOS、PECL、LVDS和Sine Wave等。每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途。對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規定。許多DSP和通信芯片組往往需要嚴格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）。以下是常見波形比對表：
(LV)TTL、(H）CMOS、(P)ECL、LVDS、(Clipped)Sine Wave幾種波形的主要區別是什么？
這幾種波形都是目前行業常用的波形。通常，方波輸出功率大，驅動能力強，但諧波分量豐富；正弦波帶載能力不如方波，但諧波分量小。
TTL（Transistor-Transistor Logic）：
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。因為2.4V與5V之間有很大空閑，對改善噪聲容限沒好處，會增大系統功耗，并影響速度，所以后來出現LVTTL(Low Voltage TTL)。在晶振產品中，LVTTL分為3.3V、2.5V，其中以3.3V為主。
CMOS：
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH> =3.5V；VIL<=1.5V。
CMOS相對TTL有了更大的噪聲容限，輸入阻抗遠大于TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL，出現了LVCMOS，可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。
使用時應注意：CMOS結構內部寄生有可控硅結構，當輸入或輸入管腳高于VCC一定值時，電流足夠大的話，可能引起閂鎖效應，導致芯片的燒毀。
HCMOSHCMOS-全靜態設計、高速互補金屬氧化物半導體工藝，COMS-互補金屬氧化物半導體。CMOS將被HCMOS所替代。
ECL（Emitter Couple Logic）：
ECL電路的特點：基本門電路工作在非飽和狀態，ECL電路具有相當高的速度，平均延遲時間可達幾個毫微秒甚至亞毫微秒數量級。
ECL電路的邏輯擺幅較小（僅約 0.8V ，而 TTL 的邏輯擺幅約為 2.0V ），當電路從一種狀態過渡到另一種狀態時，對寄生電容的充放電時間將減少，這是 ECL電路具有高開關速度的重要原因。但邏輯擺幅小，對抗干擾能力不利。ECL電路具有很高的輸入阻抗和低的輸出阻抗。
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 ECL電路速度快，驅動能力強，噪聲小，很容易達到幾百M的應用，但是功耗大，需要負電源。為簡化電源，出現了PECL(ECL結構，改用正電壓供電)和LVPECL。
PECL (Pseudo/Positive ECL)：
Clipped Sine Wave:
削頂正弦波(Clipped Sine Wave)相比方波的諧波分量少很多，但驅動能力較弱，在負載10K//10PF時Vp-p為0.8Vmin。通常為SMD 7050、5032、3225使用的波形。
